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SOI制造技術
TM-SOI
硅基科技公司采用具有自主知識產權的TM-SOI薄膜轉移技術，利用低溫微波氛圍將注入的氫離子激活，實現行業較先進的“硅片鍵合+薄膜轉移”的裂片工藝，制造高質量、膜厚均勻的SOI晶圓片。
薄膜產品包括薄膜SOI（device layer>100nm）和超薄膜SOI(device layer <100nm)。
TM+EPI SOI
利用公司自有的TM-SOI薄膜轉移技術與外延技術相結合，實現TM-SOI硅片的器件層增厚，制造優質的外延SOI晶圓片。同時，外延技術可以與TM-SOI技術結合，制備用于65nm-14nm節點采用的sSOI、Ge等相關的先進材料。
Bonded SOI
在傳統的鍵合SOI工藝基礎上，采用高精度加工設備，實現更好的器件層厚度精度，從而改善片內均勻性和提高產品性能。
硅基科技與客戶合作加工圖形SOI，由客戶提供有圖形的襯底片，進行后續的鍵合、頂層磨拋工藝，形成完整的結構。
RFαSOI
沿用公司自有的TM-SOI工藝路線，在BOX層與高阻襯底層之間制備一層新材料的新型SOI硅片。主要用于射頻領域，極大的提高了線性度，RF Losses，HQF等性能。